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楼主: pengjun_45

[CE认证] 光耦做GS安规认证难题

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发表于 2008-11-4 16:33 | 显示全部楼层
广东安规检测
有限公司提供:
该工程师的要求是正确的,
3 h; M$ o* B, T( R& w9 l% g: d& M' h
由图片可以看到,产品的低压部分是与水直接接触的,而水又是属于人手可以触及的部分,就是说,低压部分电路是属于可触及部分; `/ y5 k( R) Z+ h

" m+ A; R* m& @  x/ [由60335-1的3.4.2条可以看到,低压部分要是可以触及的话,安全特低电压部分和必须满和强电部分满足双重绝缘或者加强绝缘的要求,就是说,连接弱电和强电的光耦必须满足双重绝缘或者加强绝缘的要求。, p0 J4 p, v; s% n

8 X# F9 k* E. v* B* d( n所以:4 t3 R/ L, H5 d# W4 G
对于光耦外部,可以根据焊脚附近的污染等级判断其是需要满足2*2.5还是2*4.0的要求,6 n# r" M2 a, y1 \
对于光耦内部,污染等级是P1,只要满足2*0.6的距离即可,如果光耦作了温度循环测试,内部的间隙可以按照固体绝缘进行判断,0.4mm就可以了
发表于 2008-11-5 09:00 | 显示全部楼层
引用第22楼aaainmaya于2008-11-04 16:33发表的  :
, y7 Z3 h! Y8 k该工程师的要求是正确的,- G8 t( N$ i5 J- ~2 Z1 P. t

" r* H  [' ]" O7 R3 A8 F由图片可以看到,产品的低压部分是与水直接接触的,而水又是属于人手可以触及的部分,就是说,低压部分电路是属于可触及部分
6 E! E- y9 y, \$ C5 Q
# C, W  v2 {1 N. x; h+ V- [& z由60335-1的3.4.2条可以看到,低压部分要是可以触及的话,安全特低电压部分和必须满和强电部分满足双重绝缘或者加强绝缘的要求,就是说,连接弱电和强电的光耦必须满足双重绝缘或者加强绝缘的要求。
) k  x; ^, a1 Q0 V.......
同意观点
发表于 2008-11-12 22:02 | 显示全部楼层
光耦可以是加强绝缘,加强绝缘不一定要求是双重绝缘,
/ F: O& E3 T9 d不过光耦内部的爬电距离一般都不是问题,一般都可以过
发表于 2008-11-13 18:24 | 显示全部楼层
做GS认证, 光耦一般要求VDE或者TUV认证的,+ c1 J0 z. f3 u9 h( q( \
证书上会写着cr,cl和绝缘类型.
发表于 2009-1-15 14:28 | 显示全部楼层
大家看一下22。33,for class II construction,conductive liquids that are or may become accessible in normal use shall not be in direct contact with basic insulation or reinforced insulation.因此要求双重绝缘而不是加强绝缘。
发表于 2009-4-7 17:19 | 显示全部楼层
引用第11楼kevin1946于2007-06-28 18:01发表的  :
" A5 M4 u( r8 A( d! }8 k+ a- P' s% Z5 q' J9 `

# u2 L) H9 K% {2 j3 y7 H; V产品既然申请GS,光耦只有UL的认证是不可以的,应该有欧洲的认证,最好是VDE的认证,
+ L2 s; {1 M& ]在光耦VDE的证书一般有内部间隙的描述,如果光耦作了温度循环测试,内部的间隙可以按照固体绝缘进行判断,0.4mm就可以了!这时候还要求耐压满足要求!
4 u" q) H( j) b! g1 b如果光耦没有做温度循环测试,光耦的内部按照污染等级1来进行,这时候的距离大概1-1.2mm左右,
  W* P- V( e8 @- ~) J2 \% {.......
非常赞成11楼!10楼的兄弟自己也搞错了,还要说人家工程师错,自己说污染等级为3( 怎么可能是3级污染?),却得出一个4mm 的结论,不知何处得来。
7 O* P$ ~4 P- Q& Y' `* b1 r& G+ M; X, v" |* M, Z
另外楼上的兄弟提出的问题很好,但是你忽略了一个重要信息:''in direct contact with basic insulation or reinforced insulation''. 之所以这样规定,是为了保证在2类结构中,不会因为水的直接接触而导致基本绝缘或者单一的加强绝缘的材料裂化导致触电危险。而且本次讨论的情况,水并不是直接接触光耦的加强绝缘或者附加绝缘的。因此不能有22.33来断定光耦必须是双重绝缘。
发表于 2009-4-7 21:22 | 显示全部楼层
引用第25楼an007于2008-11-13 18:24发表的  :
9 B( E- t% U% U  z% p1 c做GS认证, 光耦一般要求VDE或者TUV认证的," E3 z1 g; s1 t
证书上会写着cr,cl和绝缘类型.

; H, c8 T4 l5 b! X正确。同时:内部的DTI 值也会在证书中体现。
发表于 2009-4-15 16:03 | 显示全部楼层
光耦应该满足加强绝缘要求,内部结构:电气间隙为3.0mm,爬电距离为1.2mm;PCB板引脚之间:电气间隙为3.0mm,爬电距离为5.0或者8.0mm;光耦表面应该也是这个参数。个人看法,欢迎讨论
发表于 2009-4-17 11:19 | 显示全部楼层
为什么用UL证书?' K) R' k) ]# c7 l, e2 p
改用VDE证书的光耦,相关的绝缘要求都能在证书上体现了,除非你的产品使用环境不适合此元件。
发表于 2011-6-7 16:52 | 显示全部楼层
引用第22楼aaainmaya于2008-11-04 16:33发表的  :
9 }: p- @) k( z4 b该工程师的要求是正确的,# J7 g. Q  P0 p9 ]' N3 @. c, C- \
& \$ |; Q% W0 k
由图片可以看到,产品的低压部分是与水直接接触的,而水又是属于人手可以触及的部分,就是说,低压部分电路是属于可触及部分# ^" q4 w1 ]  b% f( k) b9 @+ Z5 M+ ]

* h# h' T4 U* N2 O由60335-1的3.4.2条可以看到,低压部分要是可以触及的话,安全特低电压部分和必须满和强电部分满足双重绝缘或者加强绝缘的要求,就是说,连接弱电和强电的光耦必须满足双重绝缘或者加强绝缘的要求。
0 p- L  \  U5 \* @( H.......

3 q4 g- Z7 m9 _- n9 G! l$ b1 U+ O
# O- u" ]- p% {0 G4 I. V距离部分,0.4mm是60950的要求吗?60335貌似没有哪里有0.4mm。那么按照60335,内部穿透距离应该是多少呢?
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